基于碳管/石墨烯/GaAs双异质结自驱动的近红外光电探测器

作者：陶泽军; 霍婷婷; 尹欢; 苏言杰

来源：半导体光电, 2020, 41(02): 164-172.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2020.02.003

• SWCNT
• 单壁碳纳米管
• 石墨烯
• GaAs
• 异质结
• 光电探测器

基于单壁碳纳米管(SWCNT)/单层石墨烯/GaAs双异质结结构构筑了自驱动近红外光电探测器,利用GaAs优异的光电特性和石墨烯的高载流子迁移率特点,该光电探测器在无偏压情况下光电响应率可达393.8mA/W,比探测率达到6.48×1011 Jones,开关比为103。而且,利用半导体性SWCNT对近红外光子的高吸收特性以及SWCNT/石墨烯异质结对SWCNT产生光生载流子进行有效分离,使得该双异质结光电器件的光谱响应可拓展至1 064nm,突破了GaAs自身的响应极限860nm。

• 单位
  上海交通大学; 薄膜与微细技术教育部重点实验室