C波段GaN HEMT内匹配管设计

作者：钱天乐; 程知群^*; 乐超; 郑邦杰

来源：微波学报, 2023, 1-4.

• GaN HEMT
• C波段
• 大功率
• 内匹配

该论文针对雷达对射频功率放大器大功率和高效率的迫切需求，设计了一款工作在C波段的GaN内匹配功率放大器，其输入输出匹配采用加工在Al2O3陶瓷基板上的芯片电容和键合金丝。内匹配管工作漏极电压为48 V，栅极电压为-2 V，在5.7 GHz～5.9 GHz连续波工作条件下，输出最大功率可达47.6 dBm，PAE大于40％，小信号增益大于12.8d B。充分显示出了GaN HEMT器件击穿电压高、输出功率大的特点。

• 单位
  杭州电子科技大学