GeSe纳米电子器件整流特性的掺杂调控

作者：程杨名; 廖文虎^*

来源：吉首大学学报(自然科学版), 2022, 43(04): 42-86.

DOI：10.13438/j.cnki.jdzk.2022.04.008

• GeSe纳米带
• 整流
• 替位掺杂
• 电流-电压特性

运用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法，研究了第Ⅴ主族原子(P,As, Sb)替位掺杂条件下不同中心半导体沟道长度的GeSe纳米电子器件的整流特性.结果表明，第Ⅴ族原子局部替位掺杂的扶手椅型GeSe纳米带在中心半导体沟道5.1 nm长度范围内，在正偏压下不同中心半导体沟道长度的扶手椅型GeSe纳米带电流随着电压的增大而增大；在负偏压下当中心半导体沟道长度从1.7 nm增加至3.4 nm时，电流不随电压的变化而变化，继续增大中心半导体沟道长度，电流大小接近于0,器件呈现显著的整流特性.

• 单位
  吉首大学; 机电工程学院