科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
为解决在片测试系统中1～1000Ω电阻无法进行整体校准问题,通过采用GaAs材料作为衬底,利用半导体工艺中薄膜溅射法,使用轰击离子Ar+与靶材作用形成反应层,激发出的溅射原子NiCr打至GaAs表面,制作薄膜电阻。采用方块电阻为50Ω/块,通过调节长与宽的比值,研制出1～1 000Ω电阻标准件。为消除电阻测量过程中芯片内部回路引线的影响,研制出相对应的短路器。通过组建具有温度控制系统的定标装置,在-40～100℃温度下对标准件进行定标,定标结果表明电阻标准件的阻值与温度具有良好的线性关系,短期重复性RSD优于0.05%,年稳定性RSD优于0.1%,可以有效解决现有在片测试系统低值电阻参数的整体校准问题。
- 单位
