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摘要
研究了沟槽MOSFET沟槽深度和沟槽宽度对导通电阻与耐压的影响。以击穿电压65 V的沟槽MOSFET器件为研究对象,仅改变沟槽深度或沟槽宽度,详细分析了导通电阻和耐压的变化以及产生相应变化的原因。使用Sentaurus TCAD对器件进行了模拟仿真,仿真结果表明,在控制其他参数不变的条件下,导通电阻随沟槽深度的增大而逐渐减小,随沟槽宽度的增大而略微增大;耐压随沟槽深度的增大先增大后减小,随沟槽宽度的增大逐渐增大。最后,得到了比导通电阻为0.79 mΩ·cm2,耐压为81 V的优化设计。
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