SiC对热压制备SiC/Ti3SiC2复合材料的影响

作者：贾换; 尹洪峰; 袁蝴蝶

来源：兵器材料科学与工程, 2017, 40(04): 96-100.

DOI：10.14024/j.cnki.1004-244x.20170616.001

• Ti3SiC2
• 热压烧结
• 相成分
• 组织结构
• 导电性能

以钛粉、硅粉、炭黑为主要原料,利用热压烧结技术制备SiC/Ti3SiC2复合材料。借用扫描电镜和X射线衍射,探索SiC对复合材料的相组成、组织结构、力学性能及电导率的影响。结果表明:在25 MPa压力下,热压烧结1 500℃,可制备高致密、均匀的复合材料;SiC对提高SiC/Ti3SiC2复合材料的相组成、力学性能有很大影响,当碳化硅质量分数为20%,复合材料弯曲强度为373 MPa,断裂韧性为5.4 MPa·m1/2,材料性能得到明显提高;纯样Ti3SiC2材料的电导率最强,为4.18 MS/m。在基体中,Ti3SiC2层状晶粒相互交错形成连续的网状结构,Ti3SiC2作为导电颗粒转移的电子越多,试样电导率越高。

• 单位
  西安思源学院; 西安建筑科技大学