单相特定谐波消除脉宽调制高频逆变器的死区补偿策略

作者：罗辞勇; 王英豪; 王卫耀; 南航; 魏欣欣

来源：电工技术学报, 2017, 32(14): 155-164.

DOI：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.160051

• 逆变器
• 特定谐波消除
• 脉冲宽度调制
• 死区效应
• 补偿策略

由于死区时间的设置,开关管不能以理想时刻开断,导致逆变器输出波形发生畸变。为改善波形,需要进行死区补偿。以提前关断方式为例,深入分析高频逆变器在消除特定谐波脉冲宽度调制控制时,死区对特定谐波消除脉宽调制(SHEPWM)波的影响,给出了基波幅值和总谐波畸变率随死区时间的变化曲线。提出在正半周期内只对开关管S2和S3的触发脉冲设置死区,在负半周内只对S1和S4的触发脉冲设置死区的死区补偿策略,详细分析死区补偿阶段开关管及相应续流二极管的电流的工作状态。以功率MOSFET为例分析开关管的开通关断过程,并给出了死区时间设置的经验公式。最后,搭建仿真模型和硬件平台对所提死区补偿策略进行仿真和实验,结果表明该死区补偿策略有效缓解了由于死区所造成的波形畸变。

• 单位
  重庆大学; 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室