基于0.5μm BCD工艺的欠压锁存电路设计

作者：王伟; 李富华; 谢卫国

来源：现代电子技术, 2009, 32(20): 7-10.

DOI：10.16652/j.issn.1004-373x.2009.20.012

• 欠压锁存
• 电源管理
• 带隙基准
• 滞回区间
• BCD工艺

针对DC-DC电源管理系统中所必须的欠压锁存(UVLO)功能,提出一种改进的欠压锁存电路。所设计的电路在不使用额外的带隙基准电压源作为比较基准的情况下,实现了阈值点电位、比较器的滞回区间等参量的稳定。整个电路采用CSMC 0.5μm BCD工艺设计,使用HSpice软件仿真,结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、反应灵敏、温度漂移小、功耗低等特点。

• 单位
  苏州大学