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摘要
论文针对RF MEMS开关上电极传统的牺牲层工艺存在工艺兼容性差、释放时热应力大等问题，提出了一种基于光刻胶牺牲层的MEMS开关制备方法。通过采用在氮气环境下进行固化处理的方法，解决了光刻胶作为牺牲层时容易出现的表面褶皱、破裂等问题，同时提高了牺牲层表面的平整度；通过氧等离子体干法刻蚀释放工艺，获得了具有高平整度和低粗糙度的MEMS开关上电极结构。测试结果表明，基于光刻胶牺牲层工艺制备的RF MEMS开关在DC-20GHz频段内性能良好，隔离度均小于-30.0dB，插入损耗均大于-1.0dB。该RF MEMS开关具有良好的应用前景。
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