24～30 GHz GaN HEMT单片集成单刀双掷开关

作者：曾**; 朱浩慎; 冯文杰; 车文荃; 薛泉

来源：南京信息工程大学学报(自然科学版), 2021, 13(04): 444-449.

DOI：10.13878/j.cnki.jnuist.2021.04.009

• GaN HEMT
• 单片微波集成电路
• 单刀双掷开关

本文研究了一种基于100 nm氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计的24～30 GHz单片集成单刀双掷(SPDT)开关.该开关采用1/4波长微带线并联HEMT开关器件的结构,通过采用两级并联HEMT实现低插入损耗同时获得更好的隔离度.测试结果显示,在24～30 GHz的5G毫米波频段内以及0/-5 V的控制电压下,该开关的插入损耗低于1.5 dB,隔离度优于28 dB,输入功率1 dB压缩点大于27 dBm.测试结果能够很好地验证仿真结果.

• 单位
  南京理工大学; 华南理工大学