高能Pb离子辐照注碳SiO_2的红外谱研究

作者：赵志明; 王志光; A.Benyagoub; M.Toulemonde; F.Levesque; 宋银; 金运范; 孙友梅

来源：中国物理C, 2005, (08): 824-829.

• 低能离子注入
• 高能重离子辐照
• 原子混合
• FTIR谱
• 相变
• 成键 low energy ion implantation
• high-energy heavy ion irradiation
• atom-mixing
• FTIR spectrum
• phase transition
• bonding formation

室温下,先用120keV的C离子注入二氧化硅薄膜样品至剂量2.0×1017,5.0×1017或8.6×1017ions/cm2,再用950MeV的Pb离子分别辐照至剂量5.0×1011,1.0×1012或3.8×1012ions/cm2,然后测量样品的傅里叶变换红外(FTIR)光谱.

• 单位
  中国科学院近代物理研究所; 中国科学院研究生院