SiO2/W反射叠层的分布电容对体波谐振器的影响

作者：吴兆辉; 唐盘良; 李桦林; 米佳; 鲍景富

来源：压电与声光, 2023, 45(03): 346-354.

• SiO2/W叠层反射器
• 铌酸锂
• A1模式谐振器
• 传输系数

该文使用SiO2和金属材料钨(W)构造布喇格反射叠层，将其应用于由横向电场激励体声波谐振器(XBAR),并分析了金属层对谐振器性能的影响。所设计的谐振器以128°YX-切铌酸锂为压电层，Al为电极，SiO2和W为周期层叠结构，单晶硅作为衬底的固态装配型谐振器(SMR),利用叉指电极换能器(IDT)激发出A1模式。首先计算声阻抗层厚度对SiO2/W叠层传输系数的影响，得到中心频率为3.7 GHz的布喇格阻带。横波(主模)在经过叠层时被反射，纵波(杂模)则部分地泄露到衬底。由于钨具有电导性，致使IDT与钨之间形成并联分布电容，改变了原有的电场分布，导致谐振器的耦合系数下降。通过实验测试谐振器的实际性能，获得耦合系数为12%。虽然W具有高声阻抗，但分布电容的影响恶化了电气参数。

• 单位
  电子科技大学; 中国电子科技集团公司第二十六研究所