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摘要
本发明涉及一种高性能的双栅结型场效应晶体管及其制备方法,在一优选实施例中,其包括二维Te和二维MoS-2组成的双P-N结,其由三层结构组成,上下两层为二维MoS-2层,中间一层为二维Te层,层与层之间成交叉结构,MoS-2层之间共用电极作为栅极；Te层作为载流子沟道层,两端电极作为源漏。该器件结构,通过调控P-N结的正反偏,调控Te沟道层的耗尽区宽度,实现JFET的开启和关断,由于本结构没有介电层,实现了接近理想的亚阈值摆幅,且二维Te的载流子浓度高,小的源漏电压下就能够实现大的电流响应。本发明所设计的JFET,具有极小的亚阈值摆幅和大的开态电流,对于要求低功耗和大电流设计的设备至关重要。
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