在传统平面栅IEGT器件基础上,设计了一种复合栅结构IEGT器件,器件兼容了电子注入增强和载流子存储层技术.器件纵向延展的沟槽栅增加器件有效栅极长度而不额外增加栅极面积,提高N-漂移区内部的载流子浓度.沟槽的存在能够减小P型基区侧面的电场强度,改善由于N型阻挡层浓度过高造成的器件耐压的跌落,从而进一步提高表面载流子浓度,最终降低器件饱和压降.器件具有两种不同厚度的栅氧化层,靠近P型基区采用薄栅氧化层以保持器件正常的阈值电压,其余大部分栅极区域采用厚栅氧化层以降低器件电容,减小开关损耗.
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