选择性腐蚀确定GaN薄膜中位错类型

作者：杨慧; 林鑫; 李国强

来源：半导体技术, 2012, (12): 943-949.

• 位错种类
• 化学腐蚀
• 位错蚀坑
• X射线衍射仪
• 原子力显微镜
• 扫描电镜 dislocation types
• chemical etching
• dislocation etch pits
• X-ray diffraction(XRD)
• atomic force microscopy(AFM)
• scanning electron microscopy(SEM)

提出了一种确定GaN外延薄膜中位错种类的方法。通过化学试剂对GaN薄膜表面进行选择性腐蚀,并用X射线衍射仪(XRD)及原子力显微镜(AFM)对腐蚀前后的薄膜进行了表征,确立了GaN薄膜表面的蚀坑形貌与位错类型之间的对应关系。XRD测试结果表明,GaN薄膜中的位错密度并不随着腐蚀时间延长而发生变化。采用AFM对蚀坑形貌进行深度剖析,发现了四种不同的位错蚀坑:倒六角锥型蚀坑、倒六角平台型蚀坑、倒双六角平台型蚀坑以及混合型蚀坑。进一步研究表明,这四种不同的位错蚀坑分别对应于四种不同的位错种类,所有蚀坑基本都可以沿着这四种腐蚀路线演化而来。同时用扫描电镜(SEM)观察到的蚀坑形貌与AFM测试结果基本一...

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 华南理工大学; 发光材料与器件国家重点实验室; 西北工业大学