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摘要
随着便携式电子产品的快速发展特别是在工艺特征尺寸小于32nnm以后,浮栅型闪存面临结击穿、短沟道效应、面积大、编程／擦除电压高、漏电过度反常、过擦除等问题。SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)叠栅型存储技术以其低电压、低功耗、易与CMOS工艺兼容特性成为深亚微米乃至纳米工艺代存储技术优选方案之一。随着SONOS器件尺寸的减小,隧穿氧化硅层厚度不断减薄,器件的电荷保持性能及抗擦写能力等可靠性参数成为技术研究的重点之一。 本论文主要展开0.13μm SONOS非易失性存储器的可靠性研究,探索了提高SONOS器件电荷保持性能(Data rete...
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