磁控溅射CdTe薄膜的光电学特性

作者：戚庆碧; 崔伟哲; 顾广瑞^*

来源：延边大学学报(自然科学版), 2022, 48(03): 217-221.

DOI：10.16379/j.cnki.issn.1004-4353.2022.03.001

• CdTe薄膜
• 磁控溅射
• 光学性能
• 电学性能

采用射频磁控溅射方法在玻璃和Si (111)衬底上制备了碲化镉(CdTe)薄膜，并研究了溅射功率对薄膜的结构、光学和电学性能的影响.X射线衍射分析表明，所有样品均沿(111)面择优取向；平均晶粒尺寸随溅射功率的增加而增加，即从73.0 nm (70 W)增加到123.6 nm (110 W).紫外-可见-近红外光谱分析表明，CdTe薄膜在可见光范围内具有较高的吸光度；薄膜的带隙随着溅射功率的增加而减小，最小值为1.38 eV.CdTe薄膜的导电性随溅射功率的增加而明显增强，当溅射功率为110 W时电阻率仅为21.5Ω·cm.该研究结果可为制备高导电性和高吸收率的半导体薄膜提供参考.

• 单位
  延边大学