稀土元素Sm、Eu、Gd对Nb掺杂的TiO_2压敏电阻电性能的影响(英文)

作者：唐子龙; 米佳; 张中太; 周志刚

来源：Acta Physico - Chimica Sinica, 2005, (10): 1122-1126.

• 压敏电阻
• 稀土
• 掺杂
• TiO_2
• 缺陷 Varistor
• Rare-earth ions
• Doping
• Titania
• Defect

研究了稀土元素Sm、Eu、Gd对于Nb掺杂的TiO2基压敏电阻电学性能的影响.几种稀土元素的掺杂量均为体系总量的2%(原子比),其它原料的掺入量固定不变.实验样品在1380℃烧结,保温4h.实验发现,Sm、Eu、Gd等稀土元素可以有效降低TiO2基压敏电阻的压敏电压,但对于非线性系数的影响不很明显.对于Sm、Eu、Gd掺杂,实验得到的压敏电压值分别为12.7、14.7和16.1V.通过对试样的阻抗分析发现,Sm、Eu、Gd掺杂对于压敏电阻的介电性能有显著影响,单独掺杂Sm或Gd的试样具有很低的介电常数和介电损耗,并且具有很高的电阻率.

• 单位
  新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室