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摘要
本实用新型公开了一种空腔型薄膜体声波谐振器,包括支撑衬底、支撑层、薄膜结构层和顶电极；所述支撑衬底、支撑层与所述薄膜结构层形成的空腔为腔体,所述支撑衬底为腔底；所述支撑层设置在支撑衬底表面边缘处,形成腔壁；所述薄膜结构层设置在支撑衬底上,形成腔盖；所述薄膜结构层从下至上分别为底电极、压电层,所述压电层为单晶态氮化铝,所述顶电极位于所述压电层上。相对于现有的基于多晶氮化铝压电层的薄膜体声波谐振器,本实用新型中所述的空腔型薄膜体声波谐振器结构的Q值和机电耦合系数得到了进一步的提高,插入损耗进一步的降低,从而大幅度的提高了器件的性能。本实用新型可应用于超薄压电薄膜在FBAR中的应用。
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