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摘要
本发明公开了一种低寄生电感GaN基射频器件及其封装方法。所述器件包括金属陶瓷封装框架,所述金属陶瓷封装框架包括引脚源极、引脚漏极和引脚栅极。引脚漏极和引脚栅极的水平高度相同,高于引脚源极；所述GaN基射频器件还包括镀金铜片和GaN基射频芯片,镀金铜片和GaN基射频芯片均通过导电银浆固定在引脚源极上,GaN基射频芯片的内源极通过引线与镀金铜片连接,内漏极和内栅极分别通过引线与引脚漏极和引脚栅极连接；金属陶瓷封装框架顶部用陶瓷顶盖密封。本发明提供的封装工艺简单,可以通过塑料封装工艺的机器进行加工,工艺上的可移植性高；降低寄生电感的方法可以在其他尺寸的金属陶瓷封装框架中使用,易于升级换代。
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