计算金属-Si-C体系相稳定图的新方法

作者：张超; 杜勇

来源：中国有色金属学报, 2006, (12): 1999-2004.

DOI：10.19476/j.ysxb.1004.0609.2006.12.002

• 金属-Si-C体系
• 碳化物
• 相稳定图
• 活度
• 固态反应 metal-Si-C system
• SiC
• phase stability diagram
• activity
• solid-state reaction

概述了金属-Si-C体系界面反应和相稳定图的研究近况以及用Thermo-Calc软件计算相稳定图的局限性;阐明在相平衡条件下由化合物的Gibbs生成自由能计算活度的原理。通过将相稳定图分解为4种拓扑结构并使用相标号的方法,得到适用于三元系中存在线性化合物的相稳定图的算法,并利用Matlab语言编写相稳定图的计算和绘图程序。使用者只需将相平衡信息和化合物的Gibbs生成自由能写入普通的文本文件,即可快速得到所需体系的相稳定图。以Cr-Si-C和Nb-Si-C三元系为例,分别计算1 000℃和1 300℃的相稳定图并讨论其在分析和判断扩散通道方面的应用。

• 单位
  中南大学; 粉末冶金国家重点实验室