氮化硅薄膜MIM电容器的制备与性能研究

作者：余为国; 杨传仁; 陈宏伟; 娄非志; 张继华

来源：电子元件与材料, 2010, (05): 45-47.

• 金属-绝缘体-金属(MIM)电容器
• SiNx薄膜
• 介电性能
• 电容温度系数(TCC)
• I-V特性 metal-insulator-metal(MIM) capacitor
• SiNx thin film
• dielectric property
• temperature coefficient of capacitance(TCC)
• I-V characteristics

在被釉氧化铝陶瓷基片上,采用真空电阻蒸发法和等离子体增强化学气相沉积法制备了Au/NiCr电极薄膜及氮化硅(SiNx)介质薄膜,并对薄膜进行光刻图形化,制成了Au/NiCr/SiNx/Au/NiCr结构的MIM电容器。研究了所制电容器的介电性能、介温性能和I-V特性等电学性能。结果表明:所得MIM电容器具有很低的介电损耗(1MHz时tanδ为0.00192)及很高的电压稳定性;在–55～+150℃的范围内其1MHz时的电容温度系数为258×10–6/℃;另外,其I-V特性曲线显示出较好的对称性,漏电流密度较低,可承受较高的电压。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室