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摘要
<正>近几年来,新兴的钙钛矿材料使科学家们聚焦于其本身的诸多优势上。具有很吸引人眼球的光学特性、电学特性的钙钛矿材料,比其他材料具有的优势包括高的载流子迁移率和长的载流子扩散长度等等很多,这些与众不同的优点为钙钛矿材料在光电探测器(PDs)领域拓宽了市场应用。然而,大多数报道的混合有机-无机杂化钙钛矿(HOIP)PDs的响应度没有达到令人期待的值。因此,本文在HOIP的MAPbCl3中掺杂不同浓度的氧化锌量子点(ZnO QDs),制成了具有垂直结构的器件,具有自供电特性的优势。其中,掺杂10%浓度ZnO QDs的器件的光响应度达到了0.3A/W,比不掺杂任何ZnO QDs的器件的光响应度提升了很多很多,具有良好的稳定性。该项工作,为后续制备高性能、高稳定性的PDs奠定了坚实的基础。
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