高温AlN模板上p型GaN的生长研究

作者：刘挺; 邹泽亚; 王振; 赵红; 赵文伯; 罗木昌; 周勋; 杨晓波; 廖秀英

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2008, (01): 128-132.

• 高温AlN
• 渐变δ掺杂
• 均匀掺杂
• 金属有机物化学气相沉积
• p型GaN high-temperature AlN
• gradual-δ-doping
• uniformity-doping
• MOCVD
• p-GaN

利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能.该p型GaN样品的(0002)面半峰宽值小至178″,其空穴氧浓度为5.78×1017cm-3.在对Cp2Mg/TMGa进行了优化试验后,p型GaN的空穴氧浓度被提高到8.03×1017cm-3.

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 中国电子科技集团第四十四研究所