高深径比TSV填孔电镀技术

作者：牛通; 李浩; 崔凯; 王从香

来源：电子机械工程, 2020, 36(01): 55-59.

DOI：10.19659/j.issn.1008-5300.2020.01.014

• 硅穿孔
• 填孔电镀
• 添加剂
• 自底向上填充
• 空洞

随着电子器件朝着小型化、多功能化、高功率密度方向发展,硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)技术越来越受到业界的重视。填孔电镀技术是TSV的核心技术之一。文中探讨了填孔电镀的机理以及TSV电镀药水中各种添加剂对填充效果的影响,对比了国内外TSV电镀设备的现状,重点分析了TSV铜柱内空洞形成的原因和应对措施。分析认为导致空洞的主要原因有2个方面:一是电流聚集效应;二是物质(铜离子)的质量传输效应。在此基础上,实现了直径30μm、深度210μm的TSV无空洞填充,可为国内TSV技术的发展提供参考。

• 单位
  南京电子技术研究所