摘要
本发明公开了一种用于纸基材料的光电探测器及其溶液法制备;本发明通过溶液法制备了基于SnO2:Si/SnO2:Ga同质结结构的近紫外光探测器。所制备的SnO2:Si薄膜和SnO2:Ga薄膜均对集中在410nm附近的近紫外光表现强烈的吸收效果。当从黑暗环境转到近紫外光照环境时,探测器的电流转变很大,电流提升两个量级,表现出优秀的近紫外敏感性。同时,测试发现,探测器对集中在630nm附近的红光和分布于550nm-700nm的黄光响应微弱,响应电流和紫光照射下的电流相比可以忽略不计,探测器表现出良好的抗干扰性能。在纸基材料的光电探测器(点钞机等)应用上具备优势和潜力。
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