用HW-MWECRCVD系统沉积大面积均匀氢化非晶硅薄膜的研究

作者：王立富; 胡跃辉; 张祥文; 陈光华; 曲铭浩; 谢耀江

来源：陶瓷学报, 2009, 30(02): 171-177.

DOI：10.3969/j.issn.1000-2278.2009.02.009

• HW-MWECR沉积系统
• 均匀性
• 氢化非晶硅薄膜

通过紫外-可见透射谱技术,计算得到薄膜各个位置的拟合厚度值,研究了a-Si∶H薄膜的厚度均匀性;通过对紫外-可见透射谱的分析和对红外吸收谱峰宽度的分析,研究了a-Si∶H薄膜的结构均匀性。研究发现对于单磁场线圈MWECRCVD系统,ECR区的不均匀性和沉积室的磁场梯度的不均匀,是影响a-Si∶H薄膜均匀性的主要原因。通过改进矩形耦合波导和热丝辅助及减小磁场线圈电流的方法,采用HW-MWECRCVD系统,在直径为6cm的衬底上沉积了厚度不均匀性<3.5%的a-Si∶H薄膜。

• 单位
  景德镇陶瓷大学; 材料学院; 北京工业大学