一种高性能空穴传输材料及其制备与应用

作者：朱旭辉; 黄小兰; 彭俊彪; 曹镛

来源：2020-01-17, 中国, ZL202010057293.2.

本发明属于有机小分子光电材料的技术领域,公开了一种高性能空穴传输材料及其制备与应用。所述空穴传输材料的结构为式I,其中,Ar1与Ar2独立地为未取代或取代的咔唑单元、芴单元、二苯并吡喃单元、二苯并噻吩单元；所述取代的取代基为碳原子数分别为1～6的烷基、烷氧基或烷硫基。本发明的空穴传输材料具有高玻璃化转变温度、低HOMO能级、良好的空穴迁移率。本发明还公开了空穴传输材料的制备方法。本发明的方法简单、成本低。本发明的空穴传输材料用于制备光电器件,特别是OLED器件和太阳能电池器件。

• 单位
  华南理工大学