半导体器件正不断朝高功率、高电压、大电流方向发展，随之而来的是高功率带来的发热和散热难题。现以MOSFET作为研究对象，对瞬态热阻进行测量与分析，研究MOSFET瞬态热阻在不同栅极电压下的变化规律。实验结果表明，MOSFET瞬态热阻随栅极电压VGS绝对值的增大而减小，但对于不同的器件，热阻减小的幅度不同。通过分析得到引起上述现象的原因在于，当栅极电压变化时，沟道和漂移区的物理尺寸发生变化，从而对热流的扩散长度产生影响，改变了通道的导通电阻分布，并且导电通道内的峰值温度点会发生变化。
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