基于MCNP程序计算HFETR入单晶硅对周期监测的影响

作者：赵家强; 李松发; 赖立斯; 宋鸿鹄; 熊飞飞; 张彪

来源：科技创新导报, 2019, 16(03): 132-136.

DOI：10.16660/j.cnki.1674-098X.2019.03.132

• HFETR
• 反应性扰动
• 周期测量
• MCNP

高通量工程试验堆(HFETR)入单晶硅辐照时会引入微小的正反应性扰动,对邻近电离室孔道内的周期监测产生一定的影响。本文基于HFETR堆芯装载和燃耗分布使用蒙特卡洛核粒子输运程序(MCNP5)建立了反应堆物理计算模型,采用蒙特卡洛核粒子输运扩展程序(MCNPX2.6)计算燃耗产物,分析了8kg单晶硅通过辐照孔道进入堆芯过程对邻近周期监测的影响程度。研究结果表明,HFETR入8kg单晶硅会导致邻近辐照孔道内中子注量分布发生畸变,可能会因单晶硅的辐照位置变化导致15#电离室(15DS)中下方局部位置的中子通量变化超过此处周期监测仪的报警阈值。

• 单位
  中国核动力研究设计院