利用射频磁控溅射法制备多层MoS2薄膜

作者：滕世豹; 杨瑞霞^*; 兰飞飞; 陈春梅; 田树盛; 孙小婷; 刘海萍

来源：半导体技术, 2020, 45(04): 280-311.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.04.006

• MoS2
• 射频磁控溅射
• 退火温度
• 多层薄膜
• 溅射功率
• 工作气压

利用射频磁控溅射法结合退火工艺制备了多层结构的MoS2薄膜。优化溅射功率和工作气压条件,在溅射功率为30 W、工作气压为1.0 Pa条件下制备了致密度良好的MoS2薄膜,X射线衍射测量结果表明这种原生的薄膜是非晶态的。对原生的MoS2薄膜在高纯氮气氛围下进行不同温度条件的退火,X射线衍射和拉曼散射测量结果表明,退火温度达到550℃时,MoS2薄膜开始结晶化;温度为650℃时,出现MoS2晶粒;当退火温度达到800～950℃时,薄膜转变成连续的多层MoS2薄膜,多层膜的X射线衍射峰半高宽为0.384°。这一结果表明,射频磁控溅射法结合热退火是一种制备多层MoS2薄膜的简单易行的方法。

• 单位
  河北工业大学; 电子信息工程学院