一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化

作者：孙瑞泽; 陈万军; 彭朝飞; 阮建新; 张波

来源：电子与封装, 2014, 14(07): 29-33.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2014.07.012

• 三重扩散
• 栅控晶闸管
• 电流上升率
• 脉冲放电

传统栅控晶闸管(MCT)的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾,提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化,实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺制造的MCT在脉冲放电应用中电流上升率(di/dt)较传统工艺所制造的器件提高15%,最大工作温度降低33%,热逸散速度提高36%。

• 单位
  电子科技大学; 东莞电子科技大学电子信息工程研究院; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室