热处理对CuO纳米线生长的影响

作者：谢立林; 赵慧; 张晓娜; 汪友; 张泽

来源：电子显微学报, 2016, 35(05): 399-403.

DOI：10.3969/j.issn.1000-6281.2016.05.004

• 氧化铜纳米线
• 热氧化法
• 生长
• 扩散

本文通过热氧化法制备了CuO纳米线,利用X射线衍射和扫描电子显微镜,研究了温度和冷却方式对CuO纳米线生长的影响。600℃空冷样品只长出了少量CuO纳米线,600℃炉冷样品上观察到了大量CuO纳米线,400℃空冷样品上也生长了大量CuO纳米线,表明CuO纳米线的实际生长温度不高于400℃。温度比较高时,以CuO层的生长为主;在温度比较低时,以CuO纳米线的生长为主。这一结果可以通过铜离子在氧化层中的扩散过程来理解。

• 单位
  北京工业大学; 硅材料国家重点实验室; 浙江大学