科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明实施例公开了一类可抑制过剩的本征载流子,且电学稳定性高氧化物半导体。本发明实施例的包括：AlxInyZnz氧化物和微量掺杂物；所述微量掺杂物包括：稀土元素,稀土元素的氧化物,4B族元素,4B族元素氧化物,5B族元素或5B族元素氧化物中的任意一种或两种以上的组合。
- 单位
本发明实施例公开了一类可抑制过剩的本征载流子,且电学稳定性高氧化物半导体。本发明实施例的包括：AlxInyZnz氧化物和微量掺杂物；所述微量掺杂物包括：稀土元素,稀土元素的氧化物,4B族元素,4B族元素氧化物,5B族元素或5B族元素氧化物中的任意一种或两种以上的组合。
