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摘要
本发明公开了一种合成金属R掺杂MoS-2薄层纳米片的方法及其产物。本发明是基于金属离子R(R＝Mn,Zn,Er)可与MoO-4～(2-)形成沉淀R-xMoO-y,R-xMoO-y晶体中R原子与Mo原子均匀分散,经硫化形成硫化物混合相R-mS-n/MoS-2:R,最后将R-mS-n用酸刻蚀除去,得到薄层纳米片MoS-2:R。本发明合成的Er掺杂的MoS-2薄层纳米片相比于未掺杂的MoS-2薄层纳米片有着更加优异的光催化性能,在可见光催化等领域具有良好的应用前景。且该方法具有设备要求低、产量高、反应条件容易控制、工艺简单、原料成本低、废液离子可回收等优点,可用于合成大量掺杂的MoS-2薄层片,易于工业生产。
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