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摘要
采用射频磁控溅射法成功制备了Zn O薄膜晶体管(Zn O-TFT),研究了Zn O-TFT电学性能的温度依赖性及其影响机理。从室温27℃到210℃的变化范围,随着器件温度的升高,Zn O-TFT的开关电流比和阈值电压都有明显的减小,亚阈值摆幅明显升高,有效场效应迁移率先增加再逐渐减小。电性能的变化主要来源于因温度升高引起的沟道有源层载流子浓度增加,点缺陷的形成,界面散射增强等多种因素复合作用所致。另外,当器件温度逐渐冷却至初始温度过程,器件的电特性与升温前存在一定的迟豫现象,这主要是由于升温期间Zn O薄膜有源层中产生的点缺陷(氧空位和间隙氧原子),以及被缺陷态陷阱的电子需要较长时间通过复合而消失。
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