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摘要
本发明涉及一种铁电存储器及其制备方法,所述铁电存储器自下而上由基硅基片、铁酸铋基铁电层、氧化铝介质层、硫化钼沟道层、金源漏电极组成；采用溶胶-凝胶法在重掺杂的硅衬底制备镧和锰共掺杂的铁酸铋薄膜作为铁电层；借助原子层沉积技术生长三氧化二铝作为介质层；采用机械剥离法制备二硫化钼作为晶体管沟道层；借助热蒸发技术蒸镀金属源漏电极。本发明的特点在于利用铁电材料的自发极化效应,调控二维层状半导体中载流子浓度与迁移率等基本物理量,实现对二维材料电学性能的非易失性调控；三氧化二铝的引入可以降低铁电层的漏电和回滞窗口,继而大大改善器件的存储稳定性,为未来的铁电存储器件的应用提供了参考。
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