含纳米硅氧化硅薄膜的多峰光致发光研究

作者：陈全海; 马书懿

来源：西北师范大学学报(自然科学版), 2006, (06): 40-43.

DOI：10.16783/j.cnki.nwnuz.2006.06.012

• γ射线辐照
• 光致发光
• 发光中心
• 高斯峰 γ-ray irradiation
• photoluminescence
• luminescence centers
• Gaussian luminescence band

采用γ射线辐照含纳米硅的氧化硅薄膜,测量了其辐照前后的光致发光谱.用Gauss函数对各发光谱进行了拟合,结果表明各光谱都是三峰结构.γ辐照后,除原有的2个位于800 nm(1.55 eV)和710 nm(1.75 eV)的发光峰峰位几乎未变之外,位于640 nm(1.94 eV)的肩峰被一个很强的580 nm(2.14 eV)的新峰遮盖.根据实验现象与光谱分析,可以认为含纳米硅的氧化硅薄膜的光发射主要来自电子-空穴对在SiO2层发光中心上的辐射复合.

• 单位
  电子工程学院; 西北师范大学