一个非晶硅薄膜太阳能电池制备用激光刻线系统

作者：肖光辉; 覃海; 蓝劾; 叶健; 杨明生; 潘龙法

来源：应用光学, 2011, (05): 1016-1021.

• 激光刻线系统
• 非晶硅薄膜太阳能电池
• 刻线 laser scribing system
• a-Si thin film solar cell
• scribing line

非晶硅薄膜太阳能电池制备过程中的激光刻线工艺要求刻线宽度在30μm～50μm之间,死区范围小于300μm,刻线深度符合工艺要求。这不仅要求激光器具有较高的光束质量,而且要求光学系统具有较高的成像质量和较宽的焦深。设计了单激光器四分光路的激光刻线系统。采用设计的激光刻线装置,在1 400mm×1 100mm×3.2mm玻璃基板上进行刻线试验,分别得到刻线P1,P2,P3的线宽为35μm,50μm和45μm,死区范围(P1至P3的距离)为287μm,最终深度分别为0.98μm,0.24μm和0.58μm,刻线宽度和深度均符合薄膜太阳能电池制备工艺要求。

• 单位
  清华大学; 东莞宏威数码机械有限公司