200 mm硅外延片时间雾的产生机理及管控方法研究

作者：刘勇; 仇光寅; 邓雪华; 杨帆; 金龙

来源：电子与封装, 2022, 22(07): 53-56.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0708

• 硅外延
• 时间雾
• 环境阳离子
• 载片腔
• 氯化氢

针对硅外延加工过程及所处环境，研究了200 mm硅外延片时间雾产生的原因，分析了环境湿度、外延反应前后排外能力以及洁净厂房环境阳离子浓度等影响因素，提出了硅外延反应副产物氯化氢（HCl）和环境中的阳离子是导致硅外延片表面产生时间雾的主要原因。通过增强硅外延设备排外能力降低环境中的阳离子浓度，可有效降低时间雾产生的概率。