MgTiO3掺杂对BST基电容器陶瓷介电性能的影响

作者：林榕; 黄瑞南; 胡勇; 谢冬桔; 彭龙; 梁嘉宝; 黄新友

来源：电子元件与材料, 2015, 34(10): 23-26.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.10.006

• 陶瓷电容器
• 铁电体
• Mg Ti O3掺杂
• 钛酸钡锶
• 介电性能
• 微观结构

采用固相法制备了MgTiO3掺杂的(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)陶瓷,研究了MgTiO3掺杂量对(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响。结果表明:随着MgTiO3掺杂量的增加,BST陶瓷的介电常数(εr)、介质损耗(tanδ)和耐压强度(Eb)均先增大后减小。当MgTiO3掺杂量为质量分数0.8%时,BST陶瓷的综合介电性能较好:εr为4350,tanδ为0.0055,Eb为5.7×103V/mm(AC),容温特性符合Y5U特性。

• 单位
  江苏大学; 汕头高新区松田实业有限公司