一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器

作者：孙俊峰; 姜理利; 刘水平; 郁元卫; 朱健; 黎明; 陈章余

来源：固体电子学研究与进展, 2023, 43(04): 353-358.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2023.04.004

• 数控衰减器
• 晶圆级封装
• RF MEMS
• MEMS开关

设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器，工作频段DC～15 GHz，衰减范围0～35 dB，步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现，信号传输采用共面波导（CPW）结构，6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换，每个开关带有三个触点，电阻网络采用T型结构，整个衰减器实现晶圆级封装。测试结果显示，DC～15 GHz频段内实现了8个衰减态，衰减器插入损耗小于1.7 dB，回波损耗小于-15 dB，衰减平坦度小于±5%，功耗几乎为零。芯片尺寸为2.7 mm×2.7 mm×0.8 mm。

• 单位
  江苏联合职业技术学院南京工程分院