高氯酸根阴离子在HOPG中嵌入行为的EC-STM研究

作者：胡晓艳; ALIWOWE Alice; 颜佳伟; 毛秉伟

来源：电化学(中英文), 2015, 21(06): 560-565.

DOI：10.13208/j.electrochem.150715

• 石墨层间化合物
• 高氯酸
• 阴离子嵌入
• 电化学扫描隧道显微镜

运用电化学扫描隧道显微镜(EC-STM)和循环伏安(CV)技术对高氯酸根阴离子ClO4-在高序热解石墨(HOPG)中的电化学嵌入行为进行了研究.通过观察嵌入前后石墨台阶处高度的变化,比较了不同高度的台阶对嵌入的影响,讨论了ClO4-离子嵌入石墨的可行性、可逆性和嵌入速率.研究表明,3层以上的台阶位才有可能观察到由四阶和三阶嵌入引起的台阶高度变化,48个原子层高度的石墨台阶可以实现ClO4-在台阶处较为可逆的四阶嵌入,但12层台阶处无法观察到嵌入引起的台阶高度变化,嵌入反应通常会伴随台阶的剥离和脱落现象.四阶的嵌入反应较三阶可逆,二阶和一阶时,嵌入所需反应电势较高,此时氧化反应较为剧烈,嵌入反应被掩盖,很难观察到台阶高度的变化,更多的形貌变化是台面和台阶处不可逆的损坏如剥落、断层、黑坑等.

• 单位
  厦门大学; 化学化工学院; 固体表面物理化学国家重点实验室