FDSOI的技术特点与发展现状

作者：张骥; 苏炳熏; 许静; 罗军

来源：微纳电子与智能制造, 2021, 3(01): 41-56.

DOI：10.19816/j.cnki.10-1594/tn.2021.01.041

• 全耗尽绝缘体上硅
• ETSOI
• UTBB
• UTB
• SOI
• SOTB

全耗尽绝缘体上硅(fully depleted silicon on insulator,FDSOI)晶体管,是一种在28 nm节点以下,有效解决短沟道效应(short channel effect,SCE)的技术方案。在器件性能上,FDSOI具备背偏压调制、低漏电、抗辐照、高截止频率等特点;在制造工艺上,FDSOI具有超薄顶层硅、埋氧层、翻转阱和抬升源漏等特殊模块;在应用终端上,FDSOI技术适合于当下新兴市场对于低功耗、射频通信以及低成本的需求。目前国外知名研发机构和企业,例如法国LETI、Soitec、STMicroelectronics、Global Foundries和IBM等,已经围绕以上课题开展了较多研究。对以上方面作了综述和分析,最后指出FDSOI技术是未来新兴应用市场的重要方向。

• 单位
  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院