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摘要
本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法和钝化层的制备方法,所述金属氧化物薄膜晶体管的钝化层的制备方法包括以下步骤：将制备好源电极和漏电极的衬底放入图形化的金属掩膜版中固定；开启脉冲激光发生器将激光打在氧化钪靶材上,沉积50～200nm厚的氧化钪作为表面钝化层。本发明采用脉冲激光沉积的方法制备氧化钪作为金属氧化物薄膜晶体管的钝化层,其隔绝了薄膜晶体管的金属氧化物沟道层的背表面与大气的直接接触,使得制备的带有钝化层的金属氧化物薄膜晶体管具有稳定的电学性能,相比于没有氧化钪的器件,迁移率、亚阈值摆幅、阈值电压和正负偏压稳定性能都有一定程度上的改善。本发明可以广泛应用于半导体领域。
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