一种硅基肖特基积累层和缓冲层横向双扩散场效应晶体管及其制作方法

作者：段宝兴; 王彦东; 杨银堂

来源：2020-07-20, 中国, ZL202010699364.9.

本发明公开一种硅基肖特基积累层和缓冲层横向双扩散场效应晶体管及其制作方法。该器件中设置积累介质层,覆盖P型基区与N+漏区之间的区域；设置硅材料的外延层覆盖所述积累介质层；肖特基栅极和肖特基漏极,分别位于外延层的左端侧面、右端侧面；欧姆栅极与肖特基栅极通过导线连接,整体作为器件的栅极；欧姆漏极与肖特基栅极通过导线连接,整体作为器件的漏极。肖特基积累层用于引入高浓度电子,使得导通不依赖掺杂浓度,大幅度降低器件的导通电阻；同时通过缓冲层调制漂移区的电场,使电场分布更均匀,可大幅度提高器件的击穿电压。

• 单位
  西安电子科技大学