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摘要
本发明公开了一种使用量子阱作为载流子调节结构的本体异质结有机发光二极管及其制备方法,所述本体异质结发光二极管由玻璃衬底、阳极、P型有机半导体材料层、N、P型有机半导体材料共混发光层、量子阱载流子调节层、N型有机半导体材料层、阴极依次层叠而成。所述P型半导体由能够较好传导空穴的有机半导体材料构成。所述N型半导体由能够较好传导电子的有机半导体材料构成。所述量子阱层结构由多层N、P型材料交叉层叠形成,为本发明所述的载流子调节结构。所述使用量子阱作为载流子调节结构的方法,可以显著增加本体异质结有机发光二极管的性能,获得更好的发光效率,更高的最大亮度以及更小的效率滚降。
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