二维InSe/SnSe2范德华异质结的电子结构和光学特性研究

作者：蒋庆刚; 薛雅杰

来源：原子与分子物理学报, 2022, 39(04): 67-72.

DOI：10.19855/j.1000-0364.2022.041009

• InSe/SnSe2范德华异质结
• 电子结构
• 光学特性
• 第一性原理

本文构建了三种不同堆叠形式下的二维InSe/SnSe2范德华异质结模型,利用基于密度泛函理论的第一性原理方法综合考察了二维InSe/SnSe2三种不同堆叠情况下的几何构型及稳定性,在此基础上选取具有最稳定性能的构型.该异质结呈现出Ⅱ型能带对齐特征,带隙值为1.118 eV,可以实现电子-空穴的有效分离.另外,相比与单层二维InSe/SnSe2范德华异质结的光吸收能力达到明显提升,在紫外光范围内吸收系数达到106 cm-1.研究结果将为相关物理实验及机理研究提供理论基础,对二维InSe/SnSe2范德华异质结在光电器件中的应用具有重要的物理意义.

• 单位
  河南师范大学; 物理学院; 河南理工大学