应力对IGBT电性能的影响及应力来源研究

作者：江冰松; 唐龙谷

来源：大功率变流技术, 2015, (02): 67-70.

DOI：10.13889/j.issn.2095-3631.2015.02.014

• IGBT
• 机械应力
• 热应力
• 形变势

基于形变势理论,分析了应力下硅基半导体的禁带变窄效应和迁移率增强效应。建立了IGBT芯片模型,研究了应力对IGBT电性能的影响,分析了IGBT的应力来源,可为IGBT应力控制提供一定的参考。

• 单位
  株洲南车时代电气股份有限公司