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摘要
随着无线通信设备小型化以及宽通信范围的需求导致器件的功率密度要求越来越高。射频前端接收器和基站天线等射频通信应用要求开关能处理1W～2W的射频信号。论文设计了一种低损耗、高功率容量的四触点射频MEMS开关。文中对四触点射频MEMS开关基地材料和上电极结构进行优化，提升了四触点射频MEMS开关的射频性能和功率容量。经HFSS电磁仿真可知：该射频MEMS开关在L～K波段内，插入损耗≤0.2GHz，隔离度≥27dB，经理论计算，该射频MEMS开关的功率容量为2.17W。
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单位物理学院; 中北大学
